核心化學成分（質量百分比，%）

元素 標準規(guī)定范圍（典型值） 主要作用

鎳 (Ni) 51.5 - 52.5 主要合金元素，與鐵形成奧氏體結構，并精確控制合金的熱膨脹系數(shù)。

鈷 (Co) ≤ 0.50 (通常微量添加) 微調膨脹性能，提高合金的居里溫度。

碳 (C) ≤ 0.05 雜質元素，需嚴格控制，含量過高會影響加工性能和封接氣密性。

錳 (Mn) ≤ 0.50 脫氧劑，改善熱加工性能。

硅 (Si) ≤ 0.30 脫氧劑，少量存在。

磷 (P) ≤ 0.020 有害雜質，需嚴格控制。

硫 (S) ≤ 0.020 有害雜質，需嚴格控制。

銅 (Cu) ≤ 0.20 雜質元素。

鉻 (Cr) ≤ 0.20 雜質元素，對封接有害，需嚴格控制。

鐵 (Fe) 余量 基體元素。

關鍵點：

鎳含量是關鍵：嚴格控制在52%左右，這是其獲得特定膨脹系數(shù)的核心。

低雜質控制：對C、P、S、Cr等雜質元素有嚴格上限，以確保良好的封接性能、塑性和氣密性。

與相似牌號的區(qū)別：

與4J29（可伐合金）：4J29含有約17%的鈷，而4J52基本不含鈷或含量極低，因此成本通常低于4J29。

與4J50：鎳含量更低，膨脹系數(shù)也相應較低。

與4J54：鎳含量更高，膨脹系數(shù)也更高。

主要特性與應用

熱膨脹系數(shù)：在20°C ~ 450°C溫度范圍內，平均線膨脹系數(shù)約為 (9.5 ~ 10.5) × 10⁻⁶ /°C，與DM-308玻璃等良好匹配。

居里溫度：約 500°C。

封接類型：主要用于與軟玻璃的匹配封接。

主要應用：

電真空器件（如晶體管、集成電路、二極管外殼）的引線、管座、框架。

顯像管、射線管的電極結構件。

各種玻璃-金屬密封的元器件。

加工性能：具有良好的冷、熱加工性能，可制成絲、帶、板、棒等多種形態(tài)。