尖端電子領(lǐng)域是超純氫的核心應(yīng)用場景，GB/T 3634.2-2025標(biāo)準(zhǔn)結(jié)合電子領(lǐng)域的尖端需求，對超純氫的純度及雜質(zhì)含量提出了更為嚴(yán)苛的針對性要求，推動超純氫在電子領(lǐng)域的規(guī)范化、高端化應(yīng)用。在7nm及以下先進(jìn)制程半導(dǎo)體芯片制造中，超純氫用作保護(hù)氣、還原氣和摻雜氣，用于芯片刻蝕、薄膜沉積、離子注入等關(guān)鍵工序，標(biāo)準(zhǔn)要求該場景下超純氫純度需≥99.9999%，氧、水分、總烴、氬氣等雜質(zhì)含量需嚴(yán)格符合限值，避免微量雜質(zhì)導(dǎo)致芯片出現(xiàn)缺陷、性能下降或報廢，保障先進(jìn)制程芯片的良品率。在高端光電子、量子芯片制造中，超純氫用于材料提純和工藝保護(hù)，可提升產(chǎn)品純度和性能，標(biāo)準(zhǔn)明確規(guī)定相關(guān)場景下的超純氫雜質(zhì)控制要求，助力我國電子產(chǎn)業(yè)向高端化、自主化轉(zhuǎn)型，打破國外技術(shù)壟斷。

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