FF200R12KT4

技術參數(shù)：

• Ic(A),Tc=80℃        200

• Vce(sat),Max(V)        2.15

• Ton(us)                      0.18

• Toff(us)                      0.54

• Rth(j-c),K/W              0.135

• Pc(W)                       1100

• 封裝                          62mm

• 電路結構                   半橋

FF200R12RT4是英飛凌EconoDUAL™系列IGBT模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n型摻雜附加層，這個附加層被稱為電場終止（fieldstop），這樣結合了 PT 和 NPT 技術的優(yōu)勢。該技術可使靜態(tài)和動態(tài)損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴展系列產品的功率范圍。硅片結溫可高達175℃，運行溫度可達150℃。低損耗，F(xiàn)F200R12RT4 IGBT模塊具有低EMI噪聲，高可靠性，高運行結溫等優(yōu)點。主要應用在100KW光伏逆變器，電機驅動，電源等領域。

FF100R12KS4

FF200R12KS4

FF300R12KS4

FF400R12KS4

FF600R12KS4

FF100R12KT4

FF200R12KT4

FF300R12KT4

FF450R12KT4

FF100R12RT4

FF200R12RT4

FF300R12RT4