2A75HB12C1U

技術(shù)參數(shù)：

• Ic(A),Tc=80℃        75

• Vce(sat),Max(V)        -

• Ton(us)               -

• Toff(us)               -

• Rth(j-c),K/W        -

• Pc(W)               -

• 封裝                  34mm

電氣特性：

• 低開(kāi)關(guān)損耗

• T（VJ OP）=125℃

• 超快速IGBT芯片

機(jī)械特性：

• 銅基板

• 標(biāo)準(zhǔn)封裝

目標(biāo)應(yīng)用：

• 工業(yè)焊機(jī)