CS8591E適用于移動式內(nèi)置揚聲器的便攜式音頻設備.在 7.5電源供電情況下，可以為4Ω的負載提供6.0W的連續(xù)功率。CS8591E采用橋接負載結構在提供高品質(zhì)音頻功率放大的同時，大大減少了外部元件數(shù)，無需外接輸出耦合電容和自舉電容。CS8591E內(nèi)置待機電路，當SD管腳接高電平時，整個電路工作在待機模式，待機電流不超過100nA。
CS8591E內(nèi)置了雜音消除電路，可以消除芯片啟動和關斷過程中的咔嗒聲或噼噗聲。還可以通過外接電阻來調(diào)節(jié)增益。CS8591E內(nèi)置了過熱保護，有效的保護芯片在異常的工作條件下不被損壞。CS8591E提供了纖小的ESOP8封裝形式，額定的工作溫度范圍為-40℃至85℃。
優(yōu)異的"噼噗-咔嗒"（pop-noise）雜音抑制能力，優(yōu)異的低噪抑制功能，工作電壓范圍∶3.0V到7.5V，高電源抑制比（PSRR）∶在217Hz下為72dB，快速的啟動時間 （200ms），低靜態(tài)電流 （5mA），低關斷電流（< 0.1μA），過流保護，短路保護和過熱保護，符合Rohs標準的無鉛封裝。
